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SKB06N60	文件：278.56 Kbytes Page：13 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SKB06N60HS	文件：356.49 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKB06N60HS	文件：1.1957 Mbytes Page：14 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKP06N60	文件：459.14 Kbytes Page：15 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor:Motorcontrols,Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SSRF06N60SL	文件：600.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

详细参数

型号：
H06N60
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

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