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IKU06N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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NDF06N60Z	文件：319.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NDP06N60Z	文件：372.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SCT06N60FD	文件：306.79 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SCT06N60P	文件：378.04 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SDF06N60	文件：193.92 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON	Samhop 三合微科	Samhop
SDUD06N60	文件：136.16 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	Samhop 三合微科	Samhop
SGB06N60	文件：790.17 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGB06N60	文件：396.84 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
H06N60
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

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