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IKD04N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD04N60RF	文件：1.92867 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD04N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD04N60RFA	文件：1.75761 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKI04N60T	文件：566.91 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP04N60T	文件：365.68 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP04N60T	文件：566.91 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP04N60T	文件：505.15 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU04N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU04N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
M04N60	文件：259.399 Kbytes Page：2 Pages	NChannelMOSFET NChannelMOSFET ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
MCPF04N60	文件：535.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MCU04N60	文件：467.46 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MHF04N60CT	文件：1.33955 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET
MHU04N60	文件：987.45 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET
NDD04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDF04N60Z	文件：319.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDF04N60Z	文件：1.03656 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
H04N60E
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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