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IKD04N60RF分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKD04N60RF
厂商型号

IKD04N60RF

参数属性

IKD04N60RF 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 8A 75W TO252-3

功能描述

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency
IGBT 600V 8A 75W TO252-3

文件大小

886.12 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 18:01:00

IKD04N60RF规格书详情

IKD04N60RF属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IKD04N60RF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IKD04N60RF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,4A

  • 开关能量:

    110µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    12ns/116ns

  • 测试条件:

    400V,4A,43 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3

  • 描述:

    IGBT 600V 8A 75W TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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