首页>GTVA261802FC-V1-R2>芯片详情

GTVA261802FC-V1-R2 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 CREE/科锐

图片仅供参考,请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号:

    GTVA261802FC-V1-R2

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    CREE/科锐

  • 库存数量:

    100

  • 产品封装:

  • 生产批号:

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-6-6 10:02:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:GTVA261802FC-V1-R2品牌:Cree/Wolfspeed

  • 芯片型号:

    GTVA261802FC-V1-R2

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    CREE【科锐】详情

  • 厂商全称:

    Cree Inc.

  • 中文名称:

    科锐半导体制造商

  • 内容页数:

    8 页

  • 文件大小:

    495.3 kb

  • 资料说明:

    Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz

产品参考属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    GTVA261802FC-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    GaN

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    2.62GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    16.8dB

  • 功率 - 输出:

    170W

  • 封装/外壳:

    H-37248C-4

  • 供应商器件封装:

    H-37248C-4

  • 描述:

    180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供应商

  • 企业:

    兆亿微波(北京)科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    魏小姐

  • 手机:

    13718660290

  • 询价:
  • 电话:

    010-82888379

  • 地址:

    北京市海淀区上地五街16号1幢4层4110室