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60N04	文件：1.64313 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CJU60N04	文件：2.73841 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJU60N04	文件：3.67549 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
FIR60N04BPG	文件：4.3536 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
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FTK60N04D	文件：347.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM60N04	文件：640.92 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM60N04K	文件：653.06 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS60N04EQ	文件：596.4 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
JMT60N04B	文件：280.089 Kbytes Page：8 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTG60N04B	文件：638.043 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTI60N04B	文件：545.378 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTQ60N04B	文件：722.46 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MCU60N04	文件：383.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
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ME60N04T	文件：968.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
N60N04VDK	文件：272.04 Kbytes Page：8 Pages	40V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04HLF	文件：284.42 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP60N04HLFandNP60N04ILFareN-channel MOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrent switchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=9.1mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04ILF	文件：284.42 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP60N04HLFandNP60N04ILFareN-channel MOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrent switchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=9.1mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04KUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多GIS60N04供应商更新时间2024-5-22 16:16:00

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