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NP60N04ILF中文资料PDF规格书

NP60N04ILF
厂商型号

NP60N04ILF

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

284.42 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 20:00:00

NP60N04ILF规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The NP60N04HLF and NP60N04ILF are N-channel

MOS Field Effect Transistors designed for high current

switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

RDS(on)2 = 9.1 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)

• Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

• Built-in gate protection diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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