| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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8000 |
23+ |
原装,正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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INFINEONEASY1B |
2400 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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INFINEONMODULE |
1860 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳良洲科技有限公司2年
留言
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INFINEONNA |
10000 |
23+ |
原装现货,实单价格可谈 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
540 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市鹏华威电子有限公司6年
留言
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INFINEON只做进口原装 |
125 |
2019+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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923 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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Infineon |
2173 |
18+ |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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INFINEONMODULE |
35080 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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EUPEC10A1200V |
362 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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FP10R12W1T4图片
FP10R12W1T4_B3价格
FP10R12W1T4_B3价格：￥171.1433品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FP10R12W1T4_B3多少钱，想知道FP10R12W1T4_B3价格是多少？参考价：￥171.1433。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FP10R12W1T4_B3批发价格及采购报价，FP10R12W1T4_B3销售排行榜及行情走势，FP10R12W1T4_B3报价。
FP10R12W1T4资讯
FP10R12W1T4代理原装正品，大量现货，和诺泰科技
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FP10R12W1T4
FP10R12W1T4,全新原装现货当天发货0755-82732291或门市自取
FP10R12W1T4中文资料Alldatasheet PDF
更多FP10R12W1T4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R12W1T4_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP10R12W1T4_B29制造商:Infineon Technologies AG
FP10R12W1T4_B3功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
