选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
|
INFINEON/英飞凌专营模块 |
2500 |
23+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)MODULE |
12316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌IGBT |
8000 |
2152+ |
原装正品现货假一罚十 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
||||
|
深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
|||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
INFINEON模块 |
1000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
模块 |
528 |
N/A |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
|
INFINEONECONOPIN2 |
1000 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
|||
|
浙江永芯科技有限公司4年
留言
|
InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
EUPEC40A,1200V |
77 |
07+特价模块 |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
INFINEONMODULE |
1860 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)MODULE |
8048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
||||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
INFINEONIGBT |
670 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
|||
|
深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon/英飞凌Module |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
FP40R12KT3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FP40R12KT3图片
FP40R12KT3价格
FP40R12KT3价格:¥458.0076品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FP40R12KT3多少钱,想知道FP40R12KT3价格是多少?参考价:¥458.0076。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FP40R12KT3批发价格及采购报价,FP40R12KT3销售排行榜及行情走势,FP40R12KT3报价。
FP40R12KT3G资讯
FP40R12KT3
FP40R12KT3原装现货当天发货,0755-82732291
FP40R12KT3G中文资料Alldatasheet PDF
更多FP40R12KT3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP40R12KT3G功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: