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FP10R12W1T4	文件：503.35 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM??Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4	文件：969.6 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4_13	文件：969.6 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4_B11	文件：422.55 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4_B11	文件：640.08 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-Module	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4_B11_13	文件：640.08 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-Module	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4_B3	文件：571.44 Kbytes Page：10 Pages	EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4_B3	文件：916.89 Kbytes Page：10 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4_B3_13	文件：916.89 Kbytes Page：10 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4P	文件：771.14 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4P_B11	文件：792.94 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4B3BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 20A 105W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 20A 105W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP10R12W1T4PB11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 20A 20MW	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FP10R12W1T4
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 20A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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