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9926	文件：996.47 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926A	文件：124.3 Kbytes Page：4 Pages	6A竊?0VDualN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
9926A	文件：117.54 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
9926B	文件：1.62045 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926EM	文件：982.09 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926EM-A	文件：982.06 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926GEM	文件：982.02 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926GM	文件：982 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926M	文件：981.93 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926SS	文件：981.89 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE9926B	文件：735.63 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom2.5Vto12V.Thetwodevicesmaybeusedindividually,inparallelortoformabidirectionalblockingswitch. Features •VDS	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE9926BFM+H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE9926BFM-H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AF9926N	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NS	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSA	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSL	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSLA	文件：981.82 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AF9926NSLA	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AM9926	文件：647.75 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM9926usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM9926isavailableinSOP8package. FEATURES VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI

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详细参数

型号：
FDW9926A_Q
功能描述：
MOSFET 20V/10V Dual NCh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FDW9926AIC	FAIRCHILD/仙童	23+	TSSOP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	FDW9926AIC	FAIRCHILD/仙童	22+	TSSOP-8	600		询价
深圳市盈盛科创科技有限公司	FDW9926AIC	FAIRCHILD	22+	TSSOP-8	3000	进口原装假一罚十现货	询价
深圳廊盛科技有限公司	FDW9926AMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	22+	TSSOP8	50000	原装正品.假一罚十	询价
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深圳市华集芯实业有限公司	FDW9926AMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TSSOP-8	6000	公司十几年如一日,只做原装正品,优势渠道保证每一片	询价
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更多FDW9926A_Q供应商更新时间2024-5-16 11:00:00

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