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FDZ293P	文件：376.55 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET GeneralDescription CombiningFairchild’sadvanced2.5VspecifiedPowerTrenchprocesswithstateoftheartBGApackaging,theFDZ293PminimizesbothPCBspaceandRDS(ON).ThisBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellentthermaltransf	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDZ293P	文件：243.41 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDZ293P_06	文件：243.41 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
293	文件：3.17457 Mbytes Page：11 Pages	CylindricalCase,High-CurrentandHigh-VoltageCircuits Designedforfrequenciesrangingfrom100kHzto3MHz, MicaCapacitorTypes291,292,293and294arewellsuited forhigh-currentandhigh-voltagecircuitslikeradiotransmitters. Castincylindricalcases,thesecapacitorsareelectrically equivalenttoMIL-C-5StylesCM75throughCM93 in	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
293A	文件：70.92 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
293A	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
293D	文件：401.3 Kbytes Page：22 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
293D	文件：595.17 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
293D	文件：160.55 Kbytes Page：13 Pages	SolidTantalumChipCapacitorsTANTAMOUNT,Commercial,SurfaceMount FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetin,standard,tin/leadavailable •Compatiblewith“HighVolume”automaticpickandplaceequipment •MeetsIECspecificationQC300801/US0001andEIA535BAACmechanicalandperformancerequirements •Moisturesensit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
293D	文件：511.01 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitorsTANTAMOUNT™,MoldedCase,StandardIndustrialGrade FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetinstandard, tin/leadavailable •Compatiblewith“highvolume”automatic pickandplaceequipment •MeetsEIA-535-BAACmechanicaland performancerequirements •QualifiedtoEIA-717 •Moisturesensitivityle	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
293x	文件：111.6 Kbytes Page：1 Pages	Laser&detectorchip&TO-canproducts	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AC293	文件：68.61 Kbytes Page：2 Pages	10TO200MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AC293	文件：176.48 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ADR293	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293	文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages	UltralowNoise,HighAccuracy	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293	文件：261.98 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293-EP	文件：182.99 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293-EPisalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improv	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293ER	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293ER-REEL	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
FDZ293P
功能描述：
MOSFET 2.5V PCH BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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