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FDZ291P	文件：170.32 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET GeneralDescription CombiningFairchild’sadvanced1.5VspecifiedPowerTrenchprocesswithstateoftheartBGApackaging,theFDZ291PminimizesbothPCBspaceandRDS(ON).ThisBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellentthermaltransf	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDZ291P	文件：247.4 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDZ291P_06	文件：247.4 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
291	文件：310.48 Kbytes Page：1 Pages	PLUGGABLESERIES	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
291	文件：3.17457 Mbytes Page：11 Pages	CylindricalCase,High-CurrentandHigh-VoltageCircuits Designedforfrequenciesrangingfrom100kHzto3MHz, MicaCapacitorTypes291,292,293and294arewellsuited forhigh-currentandhigh-voltagecircuitslikeradiotransmitters. Castincylindricalcases,thesecapacitorsareelectrically equivalenttoMIL-C-5StylesCM75throughCM93 in	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
291	文件：169.89 Kbytes Page：2 Pages	MONROE291 PRODUCTHIGHLIGHTS TwelveLEDcolor-codeddisplaytoaccuratelyandquicklyshowmeasureddecade values Measuresbothresistivityandresistance-to-ground Ranges103thru1012 Easy-to-use Batterypowered Pocket-sizedconvenience Inexpensive,reliable	ADVANCEDENERGYAdvanced Energy Industries, Inc. 先进能源先进能源工业公司	ADVANCEDENERGY
291A	文件：66.33 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
291A	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
291AEX	文件：331.11 Kbytes Page：1 Pages	EnclosurescanbeFactoryModified(Milling,Drilling,Printingetc.)	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
291AX	文件：243.03 Kbytes Page：1 Pages	powertransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
291B	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
291B	文件：66.33 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
291E	文件：205.53 Kbytes Page：6 Pages	4dBLSBGaAsMMIC2-BITDIGITALATTENUATOR,0.7-4.0GHz	Hittite HITTITE	Hittite
291E	文件：274.24 Kbytes Page：6 Pages	4dBLSBGaAsMMIC2-BITDIGITALATTENUATOR,0.7-4.0GHz	Hittite HITTITE	Hittite
291GI-XX	文件：222.22 Kbytes Page：10 Pages	TRIPLEPLLFIELDPROG.SPREADSPECTRUMCLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
291GI-XXLF	文件：222.22 Kbytes Page：10 Pages	TRIPLEPLLFIELDPROG.SPREADSPECTRUMCLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
291GI-XXLF	文件：226.55 Kbytes Page：10 Pages	TRIPLEPLLFIELDPROG.SPREADSPECTRUMCLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
291GI-XXLFT	文件：222.22 Kbytes Page：10 Pages	TRIPLEPLLFIELDPROG.SPREADSPECTRUMCLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
291GI-XXLFT	文件：226.55 Kbytes Page：10 Pages	TRIPLEPLLFIELDPROG.SPREADSPECTRUMCLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
291GI-XXT	文件：222.22 Kbytes Page：10 Pages	TRIPLEPLLFIELDPROG.SPREADSPECTRUMCLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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详细参数

型号：
FDZ291P
功能描述：
MOSFET -20V P-Ch 1.5V Spec PwrTrench BGA MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	FDZ291P	ON/安森美		BGA	7906200		询价
深圳市一线半导体有限公司	FDZ291P	FAIRCHILD/FSC/仙童飞兆半	2008++	BGA	11200	新进库存/原装	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	FDZ291P	FAI	2022	BGA	2058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
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更多FDZ291P供应商更新时间2024-6-12 9:44:00

详细参数

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