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FDS86106	文件：262.81 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 3.4 A, 105 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC86106LZ	文件：278.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelShieldedGatePowerTrenchMOSFET100V,7.5A,103m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC86106LZ	文件：323.89 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,7.5A,103m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDT86106LZ	文件：360.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,3.2A,108mOhm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDS86106
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDS86106	onsemi	24+	8-SOIC	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多FDS86106供应商更新时间2024-5-21 22:49:00

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