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FDS8896	文件：260.529 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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8896	文件：223.92 Kbytes Page：1 Pages	ANTI-STATICICTRAYCLIP	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
8896	文件：547.22 Kbytes Page：3 Pages	3M??Scotch짰StrappingTape8896	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
ACT8896	文件：88.35 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPMUforSamsungS3C6410 GENERALDESCRIPTION TheACT8896isacomplete,costeffective,highly-efficientActivePMUTMpowermanagementsolution,optimizedfortheuniquepower,voltage-sequencing,andcontrolrequirementsoftheSamsungS3C6410processor. FEATURES •OptimizedforSamsungS3C6410Processor •Three	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
FDB8896	文件：269.73 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,93A,5.7mohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8896	文件：553.45 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8896	文件：331.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=93A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8896	文件：353.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=94A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8896	文件：651.96 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features VDS(V)=30V ID=35A(VGS=10V) RDS(ON)=5.7mW(VGS=10V) RDS(ON)=6.8mW(VGS=4.5V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
FDD8896	文件：1.01141 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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FDP8896	文件：266.38 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,92A,5.9m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8896	文件：474.77 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET30V,92A,5.9m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
FDS8896
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS8896供应商更新时间2024-6-5 16:36:00

详细参数

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