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FDT439N	文件：289.55 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor N-Channel2.5VSpecifiedEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDT439N	文件：1.01395 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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ADG439FBRZ	文件：323.81 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformance,4-/8-Channel,Fault-ProtectedAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG438FandADG439FareCMOSanalogmultiplexers,withtheADG438FcomprisingeightsinglechannelsandtheADG439Fcomprisingfourdifferentialchannels.Thesemultiplexersprovidefaultprotection. FEATURES Allswitchesoffwithpowersupplyoff Analogou	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR439	文件：1.58821 Mbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferencesithCurrentSinkandSourceCapability	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR439	文件：1.58821 Mbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferenceswithCurrentSinkandSourceCapability GENERALDESCRIPTION TheADR43xseriesisafamilyofXFETvoltagereferencesfeaturinglownoise,highaccuracy,andlowtemperaturedriftperformance.UsingADI’spatentedtemperaturedriftcurvaturecorrectionandXFET(eXtraimplantedjunctionFET)technology,theADR43x’svoltagechangever	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ADR439	文件：868.03 Kbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferenceswithCurrentSinkandSourceCapability GENERALDESCRIPTION TheADR43xseriesisafamilyofXFETvoltagereferencesfeaturinglownoise,highaccuracy,andlowtemperaturedriftperformance.UsingADI’spatentedtemperaturedriftcurvaturecorrectionandXFET(eXtraimplantedjunctionFET)technology,theADR43x’svoltagechangever	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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详细参数

型号：
FDT439N
功能描述：
MOSFET SOT-223 N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDT439N供应商更新时间2024-6-5 21:36:00

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