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BSM50GD120DN2	文件：126.6 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSM50GD120DN2E3226	文件：132.73 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate) IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •E3226:longterminals,limitedcurrentperterminal	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSM50GD120DN2G	文件：182.91 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSM50GD120DN2BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM50GD120DN2E3226BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 50A 350W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM50GD120DN2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 78A 400W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM50GD120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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