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BSM50GD120DN2_EUPEC_IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE一线半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
BSM50GD120DN2
产品分类：
IC芯片
生产厂商：
EUPEC
库存数量：
55
产品封装：
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-6-7 16:30:00

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详细信息
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原厂料号：BSM50GD120DN2品牌：EUPEC

芯片型号：
BSM50GD120DN2
规格书：
下载
企业简称：
SIEMENS【西门子】详情
厂商全称：
Siemens Semiconductor Group
中文名称：
德国西门子股份公司
内容页数：
9 页
文件大小：
126.6 kb
资料说明：
IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

产品属性

类型
描述
型号：
BSM50GD120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

供应商

企业：
深圳市一线半导体有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
云S/廖S
手机：
19168775913
询价：
电话：
0755-83789203/18165726413
传真：
0755-88608801
地址：
深圳市福田区福田街道福华社区福虹路4号华强花园C座7A

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