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BSM50GD120DN2E3226BOSA1

包装:托盘 封装/外壳:模块 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 50A 350W

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

产品属性

  • 产品编号:

    BSM50GD120DN2E3226BOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 50A 350W

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