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BCP5616	文件：150.69 Kbytes Page：9 Pages	Low power NPN Transistor SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPMEDIUMVOLTAGETRANSISTORS ■SOT-223PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPESAREBCP52-16ANDBCP53-16RESPECTIVELY APPLICATIONS ■MEDIUMVOLTAGELOADSWITCHTRANSISTORS ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BCP5616Q	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BCP5616Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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BCP5616QTC	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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BCP5616T	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features BVCEO>80V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent 2WPowerDissipation LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BCP5616TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BCP5616TC	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BCP5616TQ	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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BCP5616H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-4	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP5616QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
BCP5616QTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
5616	文件：87.16 Kbytes Page：6 Pages	2-FUNCTION,4-DIGITLCDAUTOMOTIVECLOCK-PROGRAMMABLE FEATURES ■DigitalTuningofCrystalFrequency ■PROMforStoringFrequencyCorrectionInformation ■12or24HourTimekeepingOption ■FlashingColon ■TwoSwitchesControlAllSettingFunctions ■HighNoiseImmunity ■InternalPower-UpResetCircuitry ■InternalVoltageRegulation	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
5616-RC	文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
ALC5616	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK

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详细参数

型号：
BCP5616
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
Low power NPN Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP5616供应商更新时间2024-5-31 14:00:00

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