BCP5616T中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
BCP5616T |
| 参数属性 | BCP5616T 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3 |
| 功能描述 | 80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 |
| 文件大小 |
557.35 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
| 中文名称 | 达尔科技官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-31 23:00:00 |
BCP5616T规格书详情
Features
BVCEO > 80V
IC = 1A High Continuous Collector Current
ICM = 2A Peak Pulse Current
2W Power Dissipation
Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 500mV @ 0.5A
Complementary PNP Type: BCP5316Q
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)
产品属性
- 产品编号：
BCP5616TC
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
- 频率 - 跃迁：
125MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT223-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
23+ |
SOT223 |
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SOT223 |
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