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BCP5616QTC中文资料PDF规格书

BCP5616QTC
厂商型号

BCP5616QTC

参数属性

BCP5616QTC 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

功能描述

NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223

文件大小

395.23 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 20:00:00

BCP5616QTC规格书详情

Features

• BVCEO > 45V & 80V

• IC = 1A Continuous Collector Current

• ICM = 2A Peak Pulse Current

• 2W Power Dissipation

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 500mV @ 0.5A

• Complementary PNP Type: BCP5316Q

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)

• The BCP5416Q and BCP5616Q are suitable for automotive applications requiring specific change control; these parts are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities.

产品属性

  • 产品编号:

    BCP5616QTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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