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BC858CDW1T1	文件：164.15 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
BC858CDW1T1	文件：106.29 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC856BDW1T1=3B BC857BDW1T1=3F BC857CDW1T1=3G	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858CDW1T1	文件：469.23 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETL E-Tech Electronics LTD
BC858CDW1T1G	文件：178.77 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858CDW1T1G	文件：123.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC858CDW1T1G	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LBC858CDW1T1	文件：247.95 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC858CDW1T1G	文件：134.71 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC858CDW1T1G	文件：462.3 Kbytes Page：6 Pages	S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

详细参数

型号：
BC858CDW1T1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC858CDW1T1供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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