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LBC858CDW1T1G	文件：134.71 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC858CDW1T1G	文件：462.3 Kbytes Page：6 Pages	S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

详细参数

型号：
BC858CDW1T1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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