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OPA659	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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OPA659IDBVR	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA659IDBVR	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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OPA659IDBVT	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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OPA659IDRBR	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDRBR	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDRBR	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA659IDRBT	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDRBT	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDRBT	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
P659	文件：115.85 Kbytes Page：2 Pages	SMPFEMALEMITERRIGHTANGLETOSEMI-RIGIDCABLE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PLVA659A	文件：223.79 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PLVA659A	文件：43.9 Kbytes Page：8 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes DESCRIPTION HighperformancevoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. TheseriesconsistsofPLVA650AtoPLVA668A. FEATURES •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately1⁄20ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:approximat	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PLVA659A-Q	文件：206.37 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
S659	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350WATTSDC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
SBC-659P	文件：410.75 Kbytes Page：1 Pages	IntelPentiumIIIandCeleronProcessors	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON

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详细参数

型号：
BB659C
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
VHF BAND, 39 PF, 35 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
功能描述：
Varactor Diode, Single, 2.72pf C(t), Scd-80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BB659C	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	7348	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
深圳市特莱科技有限公司	BB659C	INFINEON/英飞凌	21+23+	0603	3000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳诚思涵科技有限公司	BB659C	INF	16+	SOT-0603	10000	进口原装现货/价格优势!	询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	BB659C	lnfiaeon	13+	SOD-323	27500	特价热销现货库存	询价
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深圳市凌旭科技有限公司	BB659C	INFINEON	2016+	SOD523	5150	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市一线半导体有限公司	BB659C	INFINEON	2008++	SOD-5230603	9200	新进库存/原装	询价
深圳市恒创达实业有限公司	BB659C	INF	17+	SOT-0603	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	BB659C	INFINEON	23+	SCD80	7936		询价
深圳市弘为电子有限公司	BB659C	INFINEON	16+	二极0603	3000	原装现货假一罚十	询价

更多BB659C供应商更新时间2024-5-31 15:31:00

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