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OPA659IDRBT	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA659IDRBT	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-Input Operational Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDRBT	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
659	文件：146.82 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
659H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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ADG659YCP	文件：452.42 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YRQ	文件：452.42 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YRQ	文件：395.16 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG658andADG659arelowvoltage,CMOSanalogmultiplexerscomprisedofeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG658switchesoneofeightinputs(S1–S8)toacommonoutput,D,asdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YRQ-REEL	文件：395.16 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG658andADG659arelowvoltage,CMOSanalogmultiplexerscomprisedofeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG658switchesoneofeightinputs(S1–S8)toacommonoutput,D,asdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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BB659	文件：16.58 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode(ForVHF-TV-tunersHighcapacitanceratioLowseriesinductanceLowseriesresistance) SiliconTuningDiode •ForVHF-TV-tuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB659	文件：405.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes SiliconVariableCapacitanceDiodes •FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners •Highcapactanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package1) •Qu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB659	文件：76.46 Kbytes Page：7 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB659C	文件：16.56 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForVHF-TV-tunersHighcapacitanceratioLowseriesinductanceLowseriesresistance) SiliconVariableCapacitanceDiode •ForVHF-TV-tuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB659C	文件：405.55 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode SiliconVariableCapacitanceDiode •FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package1) •Qu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB659C	文件：88.99 Kbytes Page：8 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
OPA659IDRBT
功能描述：
高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多OPA659IDRBT供应商更新时间2024-5-10 18:27:00

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