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SDR659	文件：80.01 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SLVU659A	文件：425.45 Kbytes Page：17 Pages	TPS62125EVM-044EvaluationModule	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
STB659B	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC	EIC
STB659B	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC	EIC
STU659B	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC	EIC
STU659B	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
SZ659B	文件：56.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
SZ659B	文件：115.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
UPC659A	文件：123.77 Kbytes Page：16 Pages	8-BITA/DCONVERTERFORVIDEOPROCESSINGWITHREFERENCEGENERATORANDCLAMPCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC659A	文件：258.92 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Resolution:8-bit •Conversionrate:20Msps •Differentialnon-linearity:±0.5LSBMAX. •Powersupply:+5V •Analoginputvoltage:1.0Vp-p •Powerconsumption:215mWTYP. •Built-incircuit:Sampleandholdcircuit Clampcircuit(Clampvoltageandclamppulsemustbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC659AGS	文件：258.92 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Resolution:8-bit •Conversionrate:20Msps •Differentialnon-linearity:±0.5LSBMAX. •Powersupply:+5V •Analoginputvoltage:1.0Vp-p •Powerconsumption:215mWTYP. •Built-incircuit:Sampleandholdcircuit Clampcircuit(Clampvoltageandclamppulsemustbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC659AGS	文件：123.77 Kbytes Page：16 Pages	8-BITA/DCONVERTERFORVIDEOPROCESSINGWITHREFERENCEGENERATORANDCLAMPCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

详细参数

型号：
BB659C
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
VHF BAND, 39 PF, 35 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
功能描述：
Varactor Diode, Single, 2.72pf C(t), Scd-80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BB659C	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	7348	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
深圳市特莱科技有限公司	BB659C	INFINEON/英飞凌	21+23+	0603	3000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
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深圳市凌旭科技有限公司	BB659C	INFINEON	2016+	SOD523	5150	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市一线半导体有限公司	BB659C	INFINEON	2008++	SOD-5230603	9200	新进库存/原装	询价
深圳市恒创达实业有限公司	BB659C	INF	17+	SOT-0603	6200	100%原装正品现货	询价
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深圳市弘为电子有限公司	BB659C	INFINEON	16+	二极0603	3000	原装现货假一罚十	询价

更多BB659C供应商更新时间2024-5-31 15:31:00

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