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AOB11S65	文件：297.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.399Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB11S65	文件：1.0389 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB11S65	文件：305.46 Kbytes Page：7 Pages	650V11AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT11S65&AOB11S65&AOTF11S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB11S65L	文件：1.0389 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT11S65	文件：304.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOTF11S65	文件：294.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF11S65	文件：305.46 Kbytes Page：7 Pages	650V11AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT11S65&AOB11S65&AOTF11S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOW11S65	文件：342.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.399Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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T11S65	文件：1.0349 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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