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B772	文件：46.98 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR. DESCRIPTION TheUTC2SB772isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage *Complementto2SD882	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
B772	文件：76.74 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Power Amplifier AudioFrequencyPowerAmplifier •LowSpeedSwitching •ComplementtoKSD882	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
B772	文件：41.73 Kbytes Page：4 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheHSB772isdesignedforusinginoutputstageof1waudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) •MaximumTemperatures StorageTemperature..............................................................................	HSMC 华昕	HSMC
B772	文件：297.58 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING) AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER LOWSPEEDSWITCHING FEATURES •ComplementarytoKTD882.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
B772	文件：123.89 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor Description •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •ExcellenthFELinearity •ComplementarypairwithSTD882 •SwitchingApplication	AUK AUK	AUK
B772	文件：1.06496 Mbytes Page：2 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
B772	文件：22.98 Kbytes Page：1 Pages	PNP TRANSISTOR ●AFOUTPUTAMPLIFIER ●FORDC-DCCONVERTER ●FORCAMERAMOTORDRIVER	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
B772	文件：34.93 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:625mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
B772	文件：90.23 Kbytes Page：8 Pages	PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedbyusingplanarTechnologyresultinginruggedhighperformancedevices.ThecomplementaryNPNtypeis2SD882. Features ■Highcurrent ■Lowsaturationvoltage ■Complementto2SD882 Applications ■Voltageregulation ■Relaydriver ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
B772	文件：63.69 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
B772	文件：384.72 Kbytes Page：2 Pages	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors Features *PowerDissipation:PCM:625mW(Tamb=25°C)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
B772	文件：482.62 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Lowspeedswitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
B772	文件：264.46 Kbytes Page：7 Pages	PNP (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING) AudioFrequencyPowerAmplifier •LowSpeedSwitching •ComplementtoKSD882	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
B772	文件：204.34 Kbytes Page：2 Pages	SOT - 8 9 Plastic-Encapsulate Transistors DESCRIPTION The2SB772isPNPsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3Waudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver. FEATURES •Lowsaturationvoltage VCE(sat)≤−0.5V(IC=−2A,IB=−0.2A) •ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
B772	文件：1.89321 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES PowerDissipation:1.25W LowCollector-emitterSaturationVoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B772	文件：353.96 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
B772	文件：272.29 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The2SB772isPNPsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3Waudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver. FEATURES •Lowsaturationvoltage VCE(sat)≤−0.5V(IC=−2A,IB=−0.2A) •ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
B772	文件：376.41 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS PNP PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS DESCRIPTION The B772isavailableinSOT89package FEATURES AvailableinSOT89package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
B772	文件：3.53069 Mbytes Page：2 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
B772	文件：495.78 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH

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晶体管资料

型号：
B772
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
PNP
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
10

详细参数

型号：
B772
功能描述：
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市龙瀚电子有限公司	B772	NEC	11+	DIP	62000	原装正品现货优势18	询价
深圳市金嘉锐电子有限公司	B772	AMS	2024+	TO126	32560	原装优势绝对有货	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	B772	CJ	21+	SOT89-3L	10000	全新原装鄙视假货15118075546	询价
深圳市近平电子有限公司	B772	CJ	12+	SOT-89	6000	原装正品现货	询价
深圳市亿顺芯科技有限公司	B772	恒佳兴	2020+	SOT-89	2900	原装正品,大量现货,免费拿样。	询价
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深圳市勤思达科技有限公司	B772	CJ/长电	2021+	SOT-89	12000	勤思达只做原装现货库存	询价
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更多B772供应商更新时间2024-5-3 10:18:00

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