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71V256SA12YG8 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace- | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
71V256SA12YG8 | 包装:卷带(TR) 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit) | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | IDT |
产品属性
- 产品编号:
71V256SA12YG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
12ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
- 供应商器件封装:
28-SOJ
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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