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71V30L35TFGI

HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆High-speedaccess –Commercial:25/55ns(max.) –Industrial35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT71V30S —Active:375mW(typ.) —Standby:5mW(typ.) –IDT71V30L —Active:375mW(typ.) —Standby:1mW(typ.) ◆On-chipportarbitrationlogic ◆Interruptflagsforport-to-port

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71V30L35TFGI

HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

71V30L35TFGI

HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

71V30L35TFGI

包装:托盘 封装/外壳:64-LQFP 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71V30L35TFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆High-speedaccess –Commercial:25/55ns(max.) –Industrial35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT71V30S —Active:375mW(typ.) —Standby:5mW(typ.) –IDT71V30L —Active:375mW(typ.) —Standby:1mW(typ.) ◆On-chipportarbitrationlogic ◆Interruptflagsforport-to-port

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71V30L35TFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

71V30L35TFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

71V30L35TFGI8

包装:托盘 封装/外壳:64-LQFP 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71V30L35TFG

HIGH-SPEED3.3V1KX8DUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

71V30L35TFG

HIGH-SPEED3.3V1KX8DUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT71V30L35TF

HIGH-SPEED3.3V1KX8DUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT71V30L35TFI

HIGH-SPEED3.3V1KX8DUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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产品属性

  • 产品编号:

    71V30L35TFGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量:

    8Kb(1K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    35ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    64-LQFP

  • 供应商器件封装:

    64-TQFP(10x10)

  • 描述:

    IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
23+
TQFP
684
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
询价
INTEGRATEDDEVICETECHNOLOGY
21+
NA
40
只做原装,假一罚十
询价
RENESAS
21+
TQFP64
5000
询价
RENESAS(瑞萨)
23+
64-TQFP (10.00L X 10.00W X 0.5
400
全新、原装
询价
IDT
23+
TQFP
11476
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
23+
N/A
90650
正品授权货源可靠
询价
IDT
18+
LQFP64
1000
原装正品
询价
IDT, Integrated Device Technol
21+
64-TQFP(10x10)
56200
一级代理/放心采购
询价
INTEGRATEDDEVICETECHNOLOGY
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
询价
IDT
1931+
N/A
1186
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更多71V30L35TFGI供应商 更新时间2024-5-24 14:38:00