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2SK3431-ZJ	文件：214.33 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3431	文件：48.6 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=6100pFTY	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3431	文件：214.33 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3431	文件：45.47 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=6100pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3431	文件：333.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3431-S	文件：327.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3431-S	文件：214.33 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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