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2SK3434-ZJ	文件：1.02132 Mbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDSS=60V ●ID=48A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3434-ZJ	文件：214.11 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3434	文件：48.68 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) •LowCiss:Ciss=2100pFTYP. •Built-ing	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3434	文件：45.08 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4V,ID=24A) ●LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3434	文件：333.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3434	文件：214.11 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3434-S	文件：214.11 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SK3434-Z	文件：48.68 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) •LowCiss:Ciss=2100pFTYP. •Built-ing	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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