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2SK3435-ZJ	文件：214.13 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3435	文件：48.56 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. OfficialSite:http://www.renesas.eu/products/discrete/pmosfet/gen_sw/device/2SK3435-Z.jsp	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3435	文件：45.61 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=14mMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mMAX.(VGS=4V,ID=40A) ●LowCiss:Ciss=3200pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3435	文件：1.28925 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3435	文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3435	文件：214.13 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SK3435-S	文件：327.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3435-S	文件：48.56 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. OfficialSite:http://www.renesas.eu/products/discrete/pmosfet/gen_sw/device/2SK3435-Z.jsp	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3435-Z	文件：48.56 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. OfficialSite:http://www.renesas.eu/products/discrete/pmosfet/gen_sw/device/2SK3435-Z.jsp	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3435-Z	文件：401.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3435-Z	文件：214.13 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SK3435-ZJ
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB

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