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2SA1585S-R-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A TO92S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585	文件：1.51029 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat) ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1585	文件：1.52492 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1585	文件：981.27 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowVCE(sat),Excellentcurrentgaincharacteristics;complementarypairwith2SC4115. Applications LowFrequencyAmplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1585E	文件：224.16 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION PNPEpitaxialplanartypeSiliconTransistor FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) APPLICATION Excellentcurrentgaincharacteristics Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM,DVD-ROM,NotebookPC,etc.)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1585S	文件：91.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(−20V,−3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1585S	文件：101.55 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)Transistor(-20V,-3A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1585S	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.2V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1585S	文件：836.08 Kbytes Page：3 Pages	TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1585S	文件：416.62 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S	文件：55.9 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S	文件：132.01 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PD:0.4W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA1585S	文件：64.09 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PD:0.4W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1585S	文件：314.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S-Q	文件：416.62 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S-Q	文件：55.9 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
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2SA1585S-R	文件：416.62 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
ST2SA1585	文件：170.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Thetransistorissubdividedintotwogroups,Q andR,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

产品属性

产品编号：
2SA1585S-R-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
820mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92S
描述：
TRANS PNP 20V 2A TO92S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SA1585S-R-AP	Micro Commercial Co	24+	TO-226-3,TO-92-3 短体(成形引	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多2SA1585S-R-AP供应商更新时间2024-6-6 15:00:00

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