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2SA1585	文件：1.51029 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowVCE(sat) ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1585	文件：1.52492 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1585	文件：981.27 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowVCE(sat),Excellentcurrentgaincharacteristics;complementarypairwith2SC4115. Applications LowFrequencyAmplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1585E	文件：224.16 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION PNPEpitaxialplanartypeSiliconTransistor FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) APPLICATION Excellentcurrentgaincharacteristics Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM,DVD-ROM,NotebookPC,etc.)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1585S	文件：101.55 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1585S	文件：55.9 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S	文件：64.09 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PD:0.4W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1585S	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.2V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1585S	文件：836.08 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1585S	文件：132.01 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PD:0.4W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA1585S-Q	文件：55.9 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S-R	文件：55.9 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PD=0.4W(Tamb=25°C) •Colle	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S	文件：314.38 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S	文件：416.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S	文件：91.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA1585S_13	文件：416.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S-Q	文件：416.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S-R	文件：416.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S-Q-BP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A TO92S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SA1585S-R-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A TO92S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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晶体管资料

型号：
2SA1585(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
240MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1282A,2SA1297,2SB738,2SB739,2SB822,2SB892,2SB911,2SB926,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
G-224
vtest：
20
htest：
240000000
atest：
2
wtest：
.4

详细参数

型号：
2SA1585
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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