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2SA1585S分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SA1585S
厂商型号

2SA1585S

参数属性

2SA1585S 封装/外壳为SC-72 成形引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A SPT

功能描述

Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A)
TRANS PNP 20V 2A SPT

文件大小

72.21 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 22:58:00

2SA1585S规格书详情

Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = −0.2V (Typ.)

(IC/IB = −2A / −0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.

Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

2SA1585S属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。罗姆半导体集团制造生产的2SA1585S晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1585STPQ

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    240MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    SC-72 成形引线

  • 供应商器件封装:

    SPT

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 2A SPT

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