2SA1163-GR,LF_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
2SA1163-GR,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-29 8:24:00

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原厂料号：2SA1163-GR,LF品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

2SA1163-GR,LF是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的2SA1163-GR,LF晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2sa1163-gr,lf
规格书：
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资料说明：
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SA1163-GR,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
S-Mini
描述：
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

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