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2N7000	文件：216.4 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELSMALLSIGNALMOSFET Description Designedforlowvoltageandlowcurrentapplicationssuchassmallservomotorcontrol,powerMOSFETgatedrivers,andotherswitchingapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2N7000	文件：358.46 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATIONS ●Loadswitchforportabledevices ●DC/DCconverter	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N7000	文件：173.9 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETN-Channel Features: LowOn-Resistance:5Ω LowInputCapacitance:60PF LowOutputCapacitance:25PF LowThreshole:1.4V(TYE) *FastSwitchingSpeed:10ns	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2N7000	文件：68.5 Kbytes Page：4 Pages	FIELDEFFECTTRANSISTOR INTERFACEANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). •Voltagecontrolledsmallsignalswitch. •Ruggedandreliable. •Highsaturationcurrentcapability.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N7000	文件：108.73 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor •Powerdissipation350mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
2N7000	文件：76.4 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantenvelope,intendedforuseinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES 1.LowRDS(on) 2.DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. 3.High-speedswitching 4.Nosecondarybreakdown.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N7000	文件：25.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSTransistor DESCRIPTION The2N7000utilizesCalogic’sverticalDMOStechnology.ThedeviceiswellsuitedforswitchingapplicationswhereBVof60Vandlowonresistance(under5ohms)arerequired.The2N7000ishousedinaplasticTO-92package.	Calogic Calogic, LLC	Calogic
2N7000	文件：57.66 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,60VoltsN?묬hannelTO??2200mAMPS60VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7000	文件：361.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7000	文件：116.2 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheseN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanbeused	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7000	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
2N7000	文件：148.75 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalMOSFET	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N7000	文件：140.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFET	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
2N7000	文件：312.4 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-92package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications •Loadswitch •Powermanagement	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N7000	文件：661.6 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET(N-Channel) FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2N7000	文件：730.12 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETBareDie	SS Silicon Supplies	SS
2N7000	文件：904.98 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET Features •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) •Voltagecontrolledsmallsignalswitch •Ruggedandreliable •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Marking:2N7000 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N7000	文件：849.24 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET(N-Channel) MOSFET(N-Channel) FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2N7000	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
2N7000	文件：68.91 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
2N7000-G
功能描述：
MOSFET 60V 5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7000-G供应商更新时间2024-5-22 15:42:00

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