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2N7000中文资料PDF规格书

2N7000
厂商型号

2N7000

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

文件大小

358.46 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
企业简称

SECOS

中文名称

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 18:24:00

2N7000规格书详情

FEATURES

● High density cell design for low RDS(ON)

● Voltage controlled small signal switch

● Rugged and reliable

● High saturation current capability

APPLICATIONS

● Load switch for portable devices

● DC/DC converter

产品属性

  • 型号:

    2N7000

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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