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07N60C2	文件：2.12307 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
07N60C3	文件：980.68 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
07N60C3	文件：625.63 Kbytes Page：15 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
07N60C3	文件：2.12298 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
07N60CFD	文件：2.15004 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CJP07N60	文件：398.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJP07N60	文件：1.00382 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF07N60	文件：1.029869 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF07N60	文件：1.70485 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CMT07N60	文件：221.33 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR [ChampionMicroelectronicCorporation] GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalanc	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FSA07N60A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
FTA07N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
H07N60	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMC 华昕	HSMC
H07N60E	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMC 华昕	HSMC
H07N60F	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMC 华昕	HSMC
ISPP07N60CFD	文件：338.65 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.7Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW07N60CFD	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤700mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MH07N60CT	文件：1.40092 Mbytes Page：8 Pages	600VSiliconN-ChannelPowerMOSFET
MHF07N60CT	文件：4.21888 Mbytes Page：8 Pages	600VSiliconN-ChannelPowerMOSFET
MJU07N60CT	文件：302.39 Kbytes Page：7 Pages	600VSuperJunctionPowerMOSFET

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇集芯电子有限公司	07N60C3	Infineon/英飞凌	22+	TO-220	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
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更多07N60C供应商更新时间2024-5-8 15:37:00

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