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CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage. ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V) APPLICATIONS ●Highvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
CXT5551	文件：911.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors Features Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.180V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CXT5551	文件：369.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
CXT5551	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：309.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ●CollectorCurrent:ICM=0.6A ●Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ●Marking	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
CXT5551	文件：737.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180v)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
CXT5551E	文件：127.17 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-89case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50nAMax •LowSaturationVol	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551HC	文件：121.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551HCtypeisanhighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551D	文件：103.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551HCD	文件：103.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNHIGHCURRENTSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：675.2 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description TheCZT5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
CZT5551	文件：35.59 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconTransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
CZT5551	文件：93.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：1.787 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CZT5551	文件：1.58247 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
CZT5551-C	文件：314.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •HighVoltageAmplifierApplication •HighVoltage	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
CZT5551E	文件：152 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-223case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurre	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551HC	文件：127.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DMBT5551	文件：228.04 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DMMT5551	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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产品属性

产品编号：
ZXTN5551GTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
130MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ZXTN5551GTA	Diodes Incorporated	24+	TO-261-4,TO-261AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	ZXTN5551GTA	DIODES/美台	21+	SOT223	30000	只做正品原装现货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	ZXTN5551GTA	DIODES/美台	21+	SOT-223-4	687	只做原装,假一罚十	询价
深圳市福田区晶康业电子商行	ZXTN5551GTA	DIODES	20+	SOT223	2000	全新原装,价格优势	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	ZXTN5551GTA	DIODES/美台	23+	SOT223	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	ZXTN5551GTA	DIODES/美台		SOT223	7906200		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	ZXTN5551GTA	DIODES(美台)	23+	SOT-223-4	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	ZXTN5551GTA	ZETEX	2017+	SOT-223	55688	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市一线半导体有限公司	ZXTN5551GTA	ZetexInc	07+/08+	SOT-223TO-261	7500		询价
深圳市恒创达实业有限公司	ZXTN5551GTA	DIODES	17+	NA	6200	100%原装正品现货	询价

更多ZXTN5551GTA供应商更新时间2024-5-22 10:12:00

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