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AV2011	文件：259.73 Kbytes Page：1 Pages	UHFSatelliteCommunication(SATCOM)Antenna	UltralifeUltralife Ultralife	Ultralife
B2011ERU	文件：281.94 Kbytes Page：2 Pages	B2000ERUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RU	文件：276.35 Kbytes Page：4 Pages	B2000RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RU	文件：275.77 Kbytes Page：4 Pages	4:1InputRange,20WSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RUI	文件：226.79 Kbytes Page：2 Pages	Compact,HighIsolation4:1InputRange,20WDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RUI	文件：227.61 Kbytes Page：2 Pages	B2000RUISERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RW	文件：287.29 Kbytes Page：2 Pages	B2000RWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RW	文件：261.56 Kbytes Page：2 Pages	Compact1x2Inch20WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
BGA2011	文件：83.75 Kbytes Page：12 Pages	900MHzhighlinearlownoiseamplifier DESCRIPTION SiliconMonoliticMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)amplifierconsistingofanNPNdoublepolysilicontransistorwithintegratedbiasingforlowvoltageapplicationsina6-pinSOT363plasticSMDpackage. FEATURES •Lowcurrent,lowvoltage •Highlinearity •Highpowergain •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGA2011	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BMS-2011	文件：90.95 Kbytes Page：1 Pages	BMS-1811	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
BQ2011	文件：181.29 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011	文件：603.95 Kbytes Page：26 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ2011K	文件：234.3 Kbytes Page：22 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ2011K	文件：175.07 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011KSN	文件：234.3 Kbytes Page：22 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ2011KSN-	文件：175.07 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011KSN-N	文件：175.07 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011SN	文件：204.13 Kbytes Page：21 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011SN-	文件：181.29 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
ZXTN2011Z
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	ZXTN2011Z	DIODES	23+	SOT-89	7750	全新原装优势	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	ZXTN2011Z	ZETZX	2020+	SOT-89	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ZXTN2011Z	DIODES/美台		SOT89	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市芯为科技有限公司	ZXTN2011Z	ZETZX	2023+	SOT-89	16800	芯为只有原装,公司现货	询价
深圳市惊羽科技有限公司	ZXTN2011Z	DIODES-美台	24+25+/26+27+	SOT-89-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	ZXTN2011ZTA	原装ZETEX	2017+	SOT89	54789	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	ZXTN2011ZTA	DISCRETE	1000	DIO	12000		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	ZXTN2011ZTA	ZetexInc	07+/08+	SOT-89	7500		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	ZXTN2011ZTA	DIODES	2020+	SOT89	18600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	ZXTN2011ZTA	ZETEX	17+	SOT-89	4820	只做原装正品	询价

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