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ZXTN2011Z 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 DIODES/达尔科技

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订购数量	价格
1+	￥10
1000+	￥10

厂家型号：
ZXTN2011Z
产品分类：
芯片
生产厂商：
DIODES/达尔科技
库存数量：
78800
产品封装：
SOT-89-3
生产批号：
24+25+/26+27+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 16:16:00

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原厂料号：ZXTN2011Z品牌：DIODES-美台

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ZXTN2011Z是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商DIODES-美台/Diodes Incorporated生产封装SOT-89-3/TO-243AA的ZXTN2011Z晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
ZXTN2011Z
规格书：
下载下载2
企业简称：
DIODES【达尔科技】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
内容页数：
6 页
文件大小：
121.16 kb
资料说明：
100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
ZXTN2011ZTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
195mV @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
130MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3

供应商

企业：
深圳市惊羽科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
刘-先-生-----Q-微-恭-候-------有-问-秒-回-------
手机：
13147005145
询价：
电话：
实-单-专-线----131-4700-5145-----有-问-秒-回
传真：
075583040836
地址：
深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室

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