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ZXT10N50DE6TA中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
ZXT10N50DE6TA |
| 参数属性 | ZXT10N50DE6TA 封装/外壳为SOT-23-6；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 |
| 功能描述 | 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| 文件大小 |
235.78 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
| 中文名称 | 达尔科技官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-14 17:04:00 |
ZXT10N50DE6TA规格书详情
DESCRIPTION
This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.
FEATURES
• Low Equivalent On Resistance
• Extremely Low Saturation Voltage
• hFE characterised up to 12A
• IC=3A Continuous Collector Current
• SOT23-6 package
APPLICATIONS
• DC - DC Converters
• Power Management Functions
• Power switches
• Motor control
产品属性
- 产品编号：
ZXT10N50DE6TA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
165MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6
- 供应商器件封装：
SOT-23-6
- 描述：
TRANS NPN 50V 3A SOT23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODESINC |
22+ |
NA |
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DIODES/美台 |
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SOT26 |
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DIODES/美台 |
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NA |
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DIODES/美台 |
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SOT26 |
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DIODES |
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