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ZXT10N20DE6中文资料PDF规格书

ZXT10N20DE6
厂商型号

ZXT10N20DE6

参数属性

ZXT10N20DE6 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6

功能描述

20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

230.48 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Zetex Semiconductors
企业简称

Zetex

中文名称

Zetex Semiconductors官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-30 13:00:00

ZXT10N20DE6规格书详情

SUMMARY

VCEO=20V; RSAT = 55m ; IC= 3.5A

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

• Low Equivalent On Resistance

• Extremely Low Saturation Voltage

• hFE characterised up to 12A

• IC=3.5A Continuous Collector Current

• SOT23-6 package

APPLICATIONS

• DC - DC Converters

• Power Management Functions

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXT10N20DE6TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 100mA,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-6

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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