VND5N07FM规格书应用电路原装现货-114ic电子网

首页 >VND5N07FM>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
VND5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND5N07	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND5N07	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND5N07	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND5N07-E	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND5N07FI	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND5N07TR-E	文件：504.27 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNK5N07FM	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNK5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNK5N07FM	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNP5N07	文件：132.12 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNP5N07FI	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNP5N07FI	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNP5N07FI	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
VND5N07FM
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
OMNIFET：
FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科航电（深圳）电子集团有限公司	VND5N07FM	ST		原厂原封	396379	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳兆威电子有限公司	VND5N07MOS(场效应管)	ST/意法	23+	TO-252	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市明盛嘉电子科技有限公司	VND5N07MOS(场效应管)	ST/意法	21+	TO252	5000	原装现货/假一赔十/支持第三方检验	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	VND5N07MOS(场效应管)	ST/意法	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市华芯源电子有限公司	VND5N07MOS(场效应管)	ST/意法	22+	IPAKTO-251TO252DPAK	14925	终端免费提供样品可开13%增值税发票	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	VND5N07MOS(场效应管)	ST/意法	22+	IPAKTO-251TO252DPAK	14925		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	VND5N07TR	STM	1822+	TO-252	9852	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VND5N07TR	ST/意法	2019+PB	TO-252	85000	原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!	询价
深圳市特莱科技有限公司	VND5N07TR	ST/意法三极管	21+	SOT	12000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
上海磐岳电子有限公司	VND5N07TR	ST	2023+	SOT252	5800	进口原装,现货热卖	询价

更多VND5N07FM供应商更新时间2024-5-14 16:09:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号