选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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STSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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ST/意法SOT252 |
25000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
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ST/意法TO-252 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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STMTO-252 |
2916 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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STSOT252 |
25000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
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STTO-252 |
25000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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STTO-252 |
500 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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ST原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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STTO-252 |
396379 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市毅创弘电子科技有限公司11年
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STMicroelectronicsD-Pak |
66800 |
23+ |
进口原装一级分销 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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STna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ST |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
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ST(意法)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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ST/意法IPAKTO-251TO252 |
97099 |
22+ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
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STTO-252 |
16900 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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STTO-252 |
16900 |
22+ |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
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深圳市一线半导体有限公司15年
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STIPAKTO-251TO252 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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STDPak |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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STIPAKTO-251TO252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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STTO252DPAK |
12906 |
23+ |
全新原装 |
VND7N04采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
VND7N04图片
VND7N04TR-E价格
VND7N04TR-E价格:¥4.4757品牌:STMICROELECTRONICS
生产厂家品牌为STMICROELECTRONICS的VND7N04TR-E多少钱,想知道VND7N04TR-E价格是多少?参考价:¥4.4757。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,VND7N04TR-E批发价格及采购报价,VND7N04TR-E销售排行榜及行情走势,VND7N04TR-E报价。
VND7N04中文资料Alldatasheet PDF
更多VND7N04功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VND7N04_09制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFETFully autoprotected power MOSFET
VND7N04-1功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VND7N0413TR功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VND7N04-1-E功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VND7N04-E功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VND7N04TR-E功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
VND7N04
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器
- 系列:
OMNIFET II™, VIPower™
- 包装:
管件
- 开关类型:
通用
- 输出数:
1
- 比率 - 输入:
1:1
- 输出配置:
低端
- 输出类型:
N 通道
- 接口:
开/关
- 电压 - 负载:
31V(最大)
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):
不需要
- 电流 - 输出(最大值):
4A
- 导通电阻(典型值):
140 毫欧(最大)
- 输入类型:
非反相
- 故障保护:
限流(固定),超温,过压
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
DPAK
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 描述:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1