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UT3409	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409G-AE2-R	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409G-AE3-R	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409G-AE3-R	文件：491.36 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
UT3409L-AE2-R	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409L-AE2-R	文件：491.54 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
UT3409L-AE3-R	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409L-AE3-R	文件：472.01 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
UT3409_15	文件：228.25 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409G-AE2-R	文件：228.25 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409G-AE3-R	文件：228.25 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409G-AL3-R	文件：228.25 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
3409	文件：158.63 Kbytes Page：3 Pages	3/8SquareDriveSockets,SAE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
3409	文件：118 Kbytes Page：5 Pages	-2.6A竊?30VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
3409	文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®PGandMetricThreadedPlugs	Heyco Heyco
3409B	文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®PGandMetricThreadedPlugs	Heyco Heyco
AO3409	文件：239.64 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO3409	文件：1.23034 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-2.6A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3409	文件：349.26 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets P-ChannelMOSFET FEATURES •TheAO3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis suitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
AO3409	文件：784.97 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage Descriptions P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features VDS(V)=-30V ID=-2.6A(VGS=-10V) RDS(ON)	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

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更多UT3409供应商更新时间2024-4-28 10:14:00

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