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UT3409G-AE3-R	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UT3409G-AE3-R	文件：491.36 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UT3409G-AE3-R

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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

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更多UT3409G-AE3-R供应商更新时间2024-4-27 13:34:00

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